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文献
J-GLOBAL ID：200902154133312314
整理番号：01A0486637
照射収集モード下の近視野光学顕微鏡により精査されたInGaNベース発光ダイオード構造における光ルミネセンスの空間不均質性
Spatial Inhomogeneity of Photoluminescence in an InGaN-Based Light-Emitting Diode Structure Probed by Near-Field optical Microscopy Under Illumination-Collection Mode.
KANETA A
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
IZUMI T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
OKAMOTO K
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KAWAKAMI Y
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
FUJITA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NARITA Y
(JASCO Corp., Tokyo, JPN)
,
INOUE T
(JASCO Corp., Tokyo, JPN)
,
MUKAI T
(Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40 号： 1 ページ： 110-111 発行年： 2001年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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