文献
J-GLOBAL ID:200902154204667127
整理番号:96A0165734
GaAs上のInSb,GaSb及びAlSbのナメータスケールのドットの分子ビームエピタキシャル成長
Molecular beam epitaxial growth of InSb, GaSb, and AlSb nanometer-scale dots on GaAs.
著者 (3件):
BENNETT B R
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
MAGNO R
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
,
SHANABROOK B V
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
68
号:
4
ページ:
505-507
発行年:
1996年01月22日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)