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文献
J-GLOBAL ID：200902154306908838
整理番号：99A1029188
高度なウエハ裏面清浄プロセスで使用可能な焦点深度の縮小を軽減することによるフォトリソグラフィー工程の歩留り向上
Photolithography Yield Enhancement Due to Reduced Consumption of the Usable Depth of Focus Resulting From Advanced Wafer Back Surface Clean Processing.
LYSAGHT P S
(SEMATECH, Inc., TX)
,
YBARRA I
(SEMATECH, Inc., TX)
,
DOROS T
(SEMATECH, Inc., TX)
,
BEACH J
(SEMATECH, Inc., TX)
,
MELLO J
(SEZ America, Inc., AZ)
,
GUPTA G
(SEZ America, Inc., AZ)
,
WEST M
(SEZ America, Inc., AZ)
,
DEBEAR D
(SEZ America, Inc., AZ)
資料名：
IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop
(IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop)
巻： 1999 ページ： 388-393 発行年： 1999年
JST資料番号： W0718A ISSN： 1078-8743 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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