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文献
J-GLOBAL ID：200902154345420044
整理番号：01A0863056
トンネル接合をもつGaNをベースにした発光ダイオード
GaN-Based Light Emitting Diodes with Tunnel Junctions.
TAKEUCHI T
(Agilent Technol. Lab., CA, USA)
,
HASNAIN G
(Agilent Technol. Lab., CA, USA)
,
CORZINE S
(Agilent Technol. Lab., CA, USA)
,
HUESCHEN M
(Agilent Technol. Lab., CA, USA)
,
KOCOT C
(Agilent Technol. Lab., CA, USA)
,
BLOMQVIST M
(Agilent Technol. Lab., CA, USA)
,
KRAMES M R
(Lumileds Lighting, CA, USA)
,
COOK L W
(Lumileds Lighting, CA, USA)
,
STOCKMAN S A
(Lumileds Lighting, CA, USA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40 号： 8B ページ： L861-L863 発行年： 2001年08月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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