文献
J-GLOBAL ID:200902154352254001
整理番号:93A0348715
GaSb/AlGaAsSbにおけるバンドオフセット ショットキバリヤ高さと固有アクセプタの深さとの相関
Band offsets in GaSb/AlGaAsSb: Correlation with the Schottky barrier height and the depth of native acceptors.
著者 (5件):
POLYAKOV A Y
(Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
,
MILNES A G
(Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
,
EGLASH S J
(MIT Lincoln Lab., MA, USA)
,
YE M
(Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
,
BOCHKAREV A E
(Inst. Rare Metals, Moscow, SUN)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
36
号:
4
ページ:
649-651
発行年:
1993年04月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)