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文献
J-GLOBAL ID：200902154355477125
整理番号：01A0683850
SiC高電圧デバイスに対する2000V以上のFLR成端技術
Over 2000V FLR Termination Technologies for SiC High Voltage Devices.
ONOSE H
(Hitachi Ltd., Hitachi, JPN)
,
OIKAWA S
(Hitachi Ltd., Hitachi, JPN)
,
YATSUO T
(Hitachi Ltd., Hitachi, JPN)
,
KOBAYASHI Y
(Hitachi Ltd., Hitachi, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 12th ページ： 245-248 発行年： 2000年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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