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文献
J-GLOBAL ID：200902154391423988
整理番号：97A0667315
マイクロ波およびミリ波高電力デバイス特集 大きなソースインダクタンスをもつGaAs FETリニアライザを用いたことによる隣接チャネル漏れ電力と相互変調ひずみの改善
Microwave and Millimeterwave High-power Devices. Improvement of Adjacent Channel Leakage Power and Intermodulation Distortion by Using a GaAs FET Linearizer with a Large Source Inductance.
MORI K
(Mitsubishi Electric Corp., Kamakura-shi, JPN)
,
YAMAUCHI K
(Mitsubishi Electric Corp., Kamakura-shi, JPN)
,
NAKAYAMA M
(Mitsubishi Electric Corp., Kamakura-shi, JPN)
,
ITOH Y
(Mitsubishi Electric Corp., Kamakura-shi, JPN)
,
TAKAGI T
(Mitsubishi Electric Corp., Kamakura-shi, JPN)
,
KUREBAYASHI H
(Mitsubishi Electric Corp., Tokyo, JPN)
資料名：
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： E80-C 号： 6 ページ： 775-781 発行年： 1997年06月
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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