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文献
J-GLOBAL ID：200902154508518667
整理番号：99A0355955
有機金属気相エピタキシィにより成長したSiドープのIn0.52Al0.48Asの電気特性におよぼす成長条件の影響
Effect of Growth Conditions on Electrical Properties of Si-Doped In0.52Al0.48As Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
GOTO S
(Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
UEDA T
(Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
OHSHIMA T
(Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAKINUMA H
(Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 2B ページ： 1048-1051 発行年： 1999年02月28日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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