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文献
J-GLOBAL ID：200902154576334078
整理番号：97A1036844
反射防止膜(ARC)とハードマスクとして設計したSixOyNz薄膜を用いた深紫外線(DUV)リソグラフィーによる0.06μm ポリシリコンゲートの製作
Fabrication of 0.06μm poly-Si gate using DUV lithography with a designed SixOyNz film as an ARC and hardmask.
LEE W W
(Texas Instruments, TX)
,
HE Q
(Texas Instruments, TX)
,
HANRATTY M
(Texas Instruments, TX)
,
ROGERS D
(Texas Instruments, TX)
,
CHATTERJEE A
(Texas Instruments, TX)
,
KRAFT R
(Texas Instruments, TX)
,
CHAPMAN R A
(Texas Instruments, TX)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 1997 ページ： 131-132 発行年： 1997年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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