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文献
J-GLOBAL ID：200902154619791400
整理番号：00A0447640
RFプラズマMBE成長させたGa極性GaNの高温成長AlN多重中間層による結晶特性の改善
Improvement of Crystal Quality of RF-Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy Grown Ga-Polarity GaN by High-Temperature Grown AlN Multiple Intermediate Layers.
KIKUCHI A
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
YAMADA T
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
NAKAMURA S
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KUSAKABE K
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
SUGIHARA D
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
,
KISHINO K
(Sophia Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39 号： 4B ページ： L330-L333 発行年： 2000年04月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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