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文献
J-GLOBAL ID：200902154817690830
整理番号：01A0889787
InP系高速デバイス用多層エピタキシャル構造のSi超薄膜による表面不活性化
Surface Passivation of Epitaxial Multi-Layer Structures for InP-Based High Speed Devices by an Ultrathin Silicon Layer.
XIE Y-G
(北大 集積界面エレクトロニクス研セ)
,
高橋賢
(北大 大学院工学研究科)
,
高橋浩
(北大 大学院工学研究科)
,
CHAO J
(北大 集積界面エレクトロニクス研セ)
,
葛西誠也
(北大 集積界面エレクトロニクス研セ)
,
長谷川英機
(北大 集積界面エレクトロニクス研セ)
資料名：
電子情報通信学会論文誌 C
(IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J84-C 号： 9 ページ： 872-882 発行年： 2001年09月01日
JST資料番号： S0623C ISSN： 1345-2827 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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