文献
J-GLOBAL ID:200902154913416367
整理番号:01A0683872
SCR-LDMOS 静電気放電にロバストな新しいLDMOS素子
SCR-LDMOS. A novel LDMOS device with ESD robustness.
著者 (6件):
PENDHARKAR S
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
TEGGATZ R
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
DEVORE J
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
CARPENTER J
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
EFLAND T
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
,
TSAI C-Y
(Texas Instruments Inc., TX, USA)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
12th
ページ:
341-344
発行年:
2000年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)