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文献
J-GLOBAL ID：200902154933456985
整理番号：02A0776755
600°C以下における高濃度オゾンガスによる高品質SiO2膜形成
High-quality SiO2 film formation by highly concentrated ozone gas at below 600°C.
NISHIGUCHI T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
NONAKA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ICHIMURA S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MORIKAWA Y
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
KEKURA M
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
MIYAMOTO M
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 12 ページ： 2190-2192 発行年： 2002年09月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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