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文献
J-GLOBAL ID：200902155033794830
整理番号：99A0755046
SrBi2Ta2O9/Pt/SrTa2O6/SiON/Si構造を使った不揮発性強誘電体ゲート電界効果トランジスタ
Nonvolatile ferroelectric-gate field-effect transistors using SrBi2Ta2O9/Pt/SrTa2O6/SiON/Si structures.
TOKUMITSU E
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
FUJII G
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
ISHIWARA H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 75 号： 4 ページ： 575-577 発行年： 1999年07月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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