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文献
J-GLOBAL ID：200902155131914372
整理番号：96A0457915
成長とプラズマドーピングを交互に行って有機金属気相成長法で作製したN添加ZnSe/GaAs(100)
Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Nitrogen-Doped ZnSe/GaAs(100) by Alternate Growth and Plasma Doping.
森本恵造
(大阪府大 先端科研)
,
河村裕一
(大阪府大 先端科研)
,
井上直久
(大阪府大 先端科研)
資料名：
表面科学
(JSSSJ)
巻： 17 号： 5 ページ： 276-281 発行年： 1996年05月
JST資料番号： F0940B ISSN： 0388-5321 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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