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文献
J-GLOBAL ID：200902155155718604
整理番号：98A0108180
プラズマ支援分子線エピタクシーによるGa安定とN安定条件下におけるGaNのホモエピタキシャル成長
Homoepitaxial growth of GaN under Ga-stable and N-stable conditions by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
TARSA E J
(Univ. California, California)
,
HEYING B
(Univ. California, California)
,
WU X H
(Univ. California, California)
,
FINI P
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
,
SPECK J S
(Univ. California, California)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 82 号： 11 ページ： 5472-5479 発行年： 1997年12月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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