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文献
J-GLOBAL ID：200902155195058640
整理番号：96A0261647
遠隔プラズマ窒化けい素不動態化による1Ωcm p-シリコンにおける記録的に低い表面再結合速度の実現
Record low surface recombination velocities on 1Ωcm p-silicon using remote plasma silicon nitride passivation.
LAUINGER T
(Inst. Solarenergieforsch. (ISFH), Emmerthal, DEU)
,
SCHMIDT J
(Inst. Solarenergieforsch. (ISFH), Emmerthal, DEU)
,
ABERLE A G
(Inst. Solarenergieforsch. (ISFH), Emmerthal, DEU)
,
HEZEL R
(Inst. Solarenergieforsch. (ISFH), Emmerthal, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 68 号： 9 ページ： 1232-1234 発行年： 1996年02月26日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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