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文献
J-GLOBAL ID：200902155252143837
整理番号：00A0562671
化学蒸着における化学反応速度 テトラエトキシシラン(TEOS)からの二酸化けい素の成長
Chemical kinetics in chemical vapor deposition: growth of silicon dioxide from tetraethoxysilane(TEOS).
COLTRIN M E
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
HO P
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
MOFFAT H K
(Sandia National Lab., NM, USA)
,
BUSS R J
(Sandia National Lab., NM, USA)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 365 号： 2 ページ： 251-263 発行年： 2000年04月17日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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