文献
J-GLOBAL ID:200902155288226941
整理番号:00A0116390
InAs量子ドットレーザダイオードの利得と線幅増強係数
Gain and Linewidth Enhancement Factor in InAs Quantum-Dot Laser Diodes.
著者 (6件):
NEWELL T C
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
BOSSERT D J
(Air Force Res. Lab., NM, USA)
,
STINTZ A
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
FUCHS B
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
MALLOY K J
(Univ. New Mexico, NM, USA)
,
LESTER L F
(Univ. New Mexico, NM, USA)
資料名:
IEEE Photonics Technology Letters
(IEEE Photonics Technology Letters)
巻:
11
号:
12
ページ:
1527-1529
発行年:
1999年12月
JST資料番号:
T0721A
ISSN:
1041-1135
CODEN:
IPTLEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)