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文献
J-GLOBAL ID：200902155588419083
整理番号：03A0085592
位置規則的ポリ(3-ヘキシルチオフェン)からなる超薄膜電界効果トランジスタ
Ultrathin Regioregular Poly(3-hexyl thiophene) Field-Effect Transistors.
SANDBERG H G O
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
FREY G L
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
SHKUNOV M N
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
SIRRINGHAUS H
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
FRIEND R H
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
NIELSEN M M
(Riso National Lab., DNK)
,
KUMPF C
(Riso National Lab., DNK)
資料名：
Langmuir
(Langmuir)
巻： 18 号： 26 ページ： 10176-10182 発行年： 2002年12月24日
JST資料番号： A0231B ISSN： 0743-7463 CODEN： LANGD5 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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