文献
J-GLOBAL ID:200902155745200163
整理番号:93A0600146
アルミニウム/シリコン基板上の非晶質シリコン/炭化けい素の二重障壁共鳴トンネル素子における高電流密度
High Current Density in Amorphous Silicon/Siliconcarbide Double-Barrier Resonant Tunneling Device on Aluminum/Silicon Substrate.
著者 (5件):
CHEN K-H
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
FANG Y-K
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
LIU C-R
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
HWANG J-D
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
WU K-S
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
32
号:
6A
ページ:
L761-L763
発行年:
1993年06月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)