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文献
J-GLOBAL ID：200902155767818721
整理番号：97A0788911
SiC基板上の高相互コンダクタンスAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ
High transconductance AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors on SiC substrates.
CHEN Q
(APA Optics Inc., MN, USA)
,
YANG J W
(APA Optics Inc., MN, USA)
,
KAHN M A
(Univ. South Carolina, SC, USA)
,
PING A T
(Univ. Illinois, IL, USA)
,
ADESIDA I
(Univ. Illinois, IL, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 33 号： 16 ページ： 1413-1415 発行年： 1997年07月31日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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