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文献
J-GLOBAL ID：200902155828907064
整理番号：94A0837139
シリコンオンインシュレータ(SOI)MOSFETのディープサブミクロンチャネル設計
Deep-Submicrometer Channel Design in Silicon-on-Insulator (SOI) MOSFET’s.
SU L T
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
JACOBS J B
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
CHUNG J E
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
,
ANTONIADIS D A
(Massachusetts Inst. Technology, MA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 15 号： 9 ページ： 366-369 発行年： 1994年09月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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