文献
J-GLOBAL ID:200902155984598950
整理番号:93A0953257
有機金属化学気相成長法によりPt/SiO2/Si基板上に作製したPbTiO3膜の誘電性及び結晶構造の膜厚依存性
Film Thickness Dependence of Dielectric Property and Crystal Structure of PbTiO3 Film Prepared on Pt/SiO2/Si Substrate by Metal Organic Chemical Vapor Deposition.
著者 (5件):
FUNAKUBO H
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
,
HIOKI T
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
,
OTSU M
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
,
SHINOZAKI K
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
,
MIZUTANI N
(Tokyo Inst. Technology, Tokyo)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
32
号:
9B
ページ:
4175-4178
発行年:
1993年09月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)