文献
J-GLOBAL ID:200902156096950219
整理番号:96A0443826
分子軌道法によるSiO2薄膜における酸素過剰欠陥の理論解析
Theoretical Analysis of Oxygen-Excess Defects in SiO2 Thin Film by Molecular Orbital Method.
著者 (3件):
KANASHIMA T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
OKUYAMA M
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HAMAKAWA Y
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
35
号:
2B
ページ:
1445-1449
発行年:
1996年02月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)