文献
J-GLOBAL ID:200902156163337225
整理番号:93A0587903
MOS回路のホットキャリア誘起デバイス変化のモデル化とシミュレーション
Modeling and Simulation of Hot-Carrier-Induced Device Degradation in MOS Circuits.
著者 (2件):
LEBLEBICI Y
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL)
,
KANG S-M
(Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL)
資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits
(IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻:
28
号:
5
ページ:
585-595
発行年:
1993年05月
JST資料番号:
B0761A
ISSN:
0018-9200
CODEN:
IJSCBC
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)