文献
J-GLOBAL ID:200902156200761725
整理番号:02A0256965
低い成長速度で成長した近接積層InAs/GaAs量子ドット
Closely stacked InAs/GaAs quantum dots grown at low growth rate.
著者 (5件):
HEIDEMEYER H
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU)
,
KIRAVITTAYA S
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU)
,
MUELLER C
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU)
,
JIN-PHILLIPP N Y
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU)
,
SCHMIDT O G
(Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
80
号:
9
ページ:
1544-1546
発行年:
2002年03月04日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)