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文献
J-GLOBAL ID：200902156340951516
整理番号：97A0015481
ナノ結晶記憶を使ったシリコンにおける揮発性と不揮発性メモリ
Volatile and Non-Volatile Memories in Silicon with Nano-Crystal Storage.
TIWARI S
(IBM Res. Div., NY)
,
RANA F
(IBM Res. Div., NY)
,
CHAN K
(IBM Res. Div., NY)
,
HANAFI H
(IBM Res. Div., NY)
,
CHAN W
(IBM Res. Div., NY)
,
BUCHANAN D
(IBM Res. Div., NY)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1995 ページ： 521-524 発行年： 1995年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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