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文献
J-GLOBAL ID：200902156352336477
整理番号：00A0659212
単純なFPN減少技術とホール蓄積ダイオードを持つCMOSイメージセンサ
A CMOS Image Sensor with a Simple FPN-Reduction Technology and a Hole Accumulated Diode.
YONEMOTO K
(SonyCorp., Kanagawa, JPN)
,
SUMI H
(SonyCorp., Kanagawa, JPN)
,
SUZUKI R
(SonyCorp., Kanagawa, JPN)
,
UENO T
(SonyCorp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference
(Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 43 ページ： 102-103 発行年： 2000年02月
JST資料番号： D0753A ISSN： 0193-6530 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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