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文献
J-GLOBAL ID：200902156356491337
整理番号：98A0441275
室温でSiC上にOhm接触を形成するレーザ合金化
Laser Alloying for Ohmic Contacts on SiC at Room Temperature.
OTA Y
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
,
IKEDA Y
(Matsushita Electronics Corp., Osaka, JPN)
,
KITABATAKE M
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 264/268 号： Pt.2 ページ： 783-786 発行年： 1998年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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