文献
J-GLOBAL ID:200902156411268090
整理番号:93A0395758
共鳴Raman散乱とHall効果の測定で研究したIn+およびB+イオン注入Cd0.23Hg0.77Teの水銀浴中のアニール
Annealing in a mercury bath of In+ and B+ implanted Cd0.23Hg0.77Te studied by resonant Raman scattering and Hall effect measurements.
著者 (6件):
WAGNER J
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
KOIDL P
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
BACHEM K H
(Fraunhofer-Inst. Angewandte Festkoerperphysik, Freiburg, DEU)
,
UZAN-SAGUY C
(Technion-Israel Inst. Technology, Haifa, ISR)
,
KALISH R
(Technion-Israel Inst. Technology, Haifa, ISR)
,
BRUDER M
(AEG Aktiengesellschaft, Heilbronn, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
73
号:
6
ページ:
2739-2742
発行年:
1993年03月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)