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文献
J-GLOBAL ID：200902156478422786
整理番号：99A0955763
水素終端Si表面 水素終端シリコン表面の酸化と水素の役割
Hydrogen-terminated Si Surfaces. Role of Hydrogen Atoms in the Initial Oxidation Processes of H-Terminated Si(100) Surfaces.
財満鎮明
(名古屋大 先端技術共同研セ)
,
池田浩也
(名古屋大 大学院)
,
安田幸夫
(名古屋大 大学院)
資料名：
表面科学
(JSSSJ)
巻： 20 号： 10 ページ： 703-710 発行年： 1999年10月10日
JST資料番号： F0940B ISSN： 0388-5321 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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