文献
J-GLOBAL ID:200902156486292972
整理番号:94A0149886
Non-equilibrium phenomena during impurity diffusion in heavily doped silicon.
著者 (1件):
KONSTANTINOV A O
(A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
資料名:
Defect and Diffusion Forum
(Defect and Diffusion Forum)
巻:
103/105
ページ:
215-220
発行年:
1993年
JST資料番号:
D0958B
ISSN:
1012-0386
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)