文献
J-GLOBAL ID:200902156507230824
整理番号:95A0286171
(100)GaAs上にMOCVD法で成長させたGaN薄膜の光ルミネセンス
Photoluminescence investigation of GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on (100) GaAs.
著者 (4件):
HONG C H
(Univ. Michigan, Michigan)
,
PAVLIDIS D
(Univ. Michigan, Michigan)
,
BROWN S W
(Univ. Michigan, Michigan)
,
RAND S C
(Univ. Michigan, Michigan)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
77
号:
4
ページ:
1705-1709
発行年:
1995年02月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)