前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902156515982045   整理番号:01A0271103

MOVPEにより成長させたGaNエピ層のその場熱処理とInドーピング

In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE.
著者 (5件):
LU D-C
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
WANG C
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
YUAN H
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
LIU X
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
WANG X
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 221  ページ: 356-361  発行年: 2000年12月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。