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文献
J-GLOBAL ID：200902156515982045
整理番号：01A0271103
MOVPEにより成長させたGaNエピ層のその場熱処理とInドーピング
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE.
LU D-C
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG C
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
YUAN H
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
LIU X
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
,
WANG X
(Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 221 ページ： 356-361 発行年： 2000年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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