文献
J-GLOBAL ID:200902156547333901
整理番号:00A0633950
InNのMOCVD成長に対するGaP(111)B基板の窒化効果
Nitridation effects of GaP(111)B substrate on MOCVD growth of InN.
著者 (4件):
BHUIYAN A G
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
,
HASHIMOTO A
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
,
YAMAMOTO A
(Fukui Univ., Fukui, JPN)
,
ISHIGAMI R
(Wakasa Wan Energy Res. Center, Fukui, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
212
号:
3/4
ページ:
379-384
発行年:
2000年05月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)