文献
J-GLOBAL ID:200902156715608431
整理番号:99A0046868
電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起分子ビームエピタクシー(ECR-MBE)によるシリカガラス上へのGaNの結晶成長と光学特性
Crystal Growth and Optical Property of GaN on Silica Glass by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxy (ECR-MBE).
著者 (5件):
MURATA N
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
TOCHISHITA H
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
SHIMIZU Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
ARAKI T
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
,
NANISHI Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
37
号:
10B
ページ:
L1214-L1216
発行年:
1998年10月15日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)