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J-GLOBAL ID:200902156715608431   整理番号:99A0046868

電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起分子ビームエピタクシー(ECR-MBE)によるシリカガラス上へのGaNの結晶成長と光学特性

Crystal Growth and Optical Property of GaN on Silica Glass by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxy (ECR-MBE).
著者 (5件):
MURATA N
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
TOCHISHITA H
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
SHIMIZU Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
ARAKI T
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
NANISHI Y
(Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)

巻: 37  号: 10B  ページ: L1214-L1216  発行年: 1998年10月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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