文献
J-GLOBAL ID:200902156792455125
整理番号:93A0709744
Improved Breakdown-Speed Tradeoff of InP/InGaAs Single Heterojunction Bipolar Transistor Using a Novel p--n- Collector Structure.
著者 (7件):
CHAU H-F
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
PAVLIDIS D
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
NG G-I
(Univ. Michigan, MI, USA)
,
TOMIZAWA K
(Meiji Univ., Kawasaki, JPN)
,
BAKER D M
(Epitaxial Products Int. Ltd., Cardiff, GBR)
,
MEATON C
(Epitaxial Products Int. Ltd., Cardiff, GBR)
,
TOTHILL J N
(Epitaxial Products Int. Ltd., Cardiff, GBR)
資料名:
5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
(5th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials)
ページ:
25-28
発行年:
1993年
JST資料番号:
K19930399
ISBN:
0-7803-0994-4
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)