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文献
J-GLOBAL ID：200902156794460398
整理番号：99A0355956
高度に秩序化したアルミナ膜を用いた反応性ビームエッチングによるGaAsとInPナノホールアレイの製作
GaAs and InP Nanohole Arrays Fabricated by Reactive Beam Etching Using Highly Ordered Alumina Membranes.
NAKAO M
(NTT Opto-Electronics Lab., Atsugi, JPN)
,
OKU S
(NTT Opto-Electronics Lab., Atsugi, JPN)
,
TAMAMURA T
(NTT Opto-Electronics Lab., Atsugi, JPN)
,
YASUI K
(Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
,
MASUDA H
(Tokyo Metropolitan Univ., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38 号： 2B ページ： 1052-1055 発行年： 1999年02月28日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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