文献
J-GLOBAL ID:200902156837519634
整理番号:93A0690159
Si変調ドープAlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs MQWにおける深部ドナー状態関連の反ストークス光ルミネセンス
Anti-Stokes photoluminescence related to the deep donor states in Si modulation-doped AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs MQW.
著者 (2件):
JUNNARKAR M R
(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
,
YAMAGUCHI E
(NTT Basic Research Lab., Tokyo, JPN)
資料名:
日本物理学会講演概要集(年会)
(日本物理学会年会予稿集)
巻:
48th
号:
2
ページ:
129
発行年:
1993年03月
JST資料番号:
S0671A
ISSN:
1342-8349
資料種別:
会議録 (C)
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)