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文献
J-GLOBAL ID：200902157093753206
整理番号：02A0941392
n型4H-SiC上に堆積させた酸化膜の窒素パシベーション
Nitrogen passivation of deposited oxides on n 4H-SiC.
CHUNG G Y
(Sterling Semiconductor, Inc., Florida)
,
WILLIAMS J R
(Auburn Univ., Alabama)
,
ISAACS-SMITH T
(Auburn Univ., Alabama)
,
REN F
(Univ. Florida, Florida)
,
MCDONALD K
(Vanderbit Univ., Tennessee)
,
FELDMAN L C
(Vanderbit Univ., Tennessee)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 81 号： 22 ページ： 4266-4268 発行年： 2002年11月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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