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文献
J-GLOBAL ID：200902157169492636
整理番号：95A0569912
MBE成長による微細[001]リッジをもつGaAs(100)基板上へのL字型GaAs/AlAs量子細線の作製
Fabrication of nanometer size L-shaped GaAs/AlAs quantum wires on 001 ridges of GaAs(100) patterend substrates by MBE.
上久保徳貴
(大阪大)
,
西本喜則
(大阪大)
,
藤原崇
(大阪大)
,
LIU Y
(大阪大)
,
下村哲
(大阪大)
,
邑瀬和生
(大阪大)
,
安立明
(日新電機)
,
佐野直克
(関西学院大 理)
,
渡辺敏英
(ATR光電波通信研)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 42nd 号： Pt 1 ページ： 209 発行年： 1995年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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