文献
J-GLOBAL ID:200902157186745718
整理番号:01A0873035
GaN及びGaN/AlGaNヘテロ構造の表面の化学と電気的性質
Chemistry and electrical properties of surfaces of GaN and GaN/AlGaN heterostructures.
著者 (5件):
HASHIZUME T
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
OOTOMO S
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
OYAMA S
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
KONISHI M
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
,
HASEGAWA H
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
19
号:
4
ページ:
1675-1681
発行年:
2001年07月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)