前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902157222568984
整理番号：99A0419825
水素化物気相エピタクシーによるタングステンマスクを用いたエピタキシャル横方向被覆成長GaNの光学的および結晶特性
Optical and Crystalline Properties of Epitaxial-Lateral-Overgrown-GaN Using Tungsten Mask by Hydride Vapor Phase Epitaxy.
SONE H
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
NAMBU S
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
KAWAGUCHI Y
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
YAMAGUCHI M
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
,
MIYAKE H
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
HIRAMATSU K
(Mie Univ., Mie, JPN)
,
IYECHIKA Y
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
MAEDA T
(Sumitomo Chemical Co., Ltd., Ibaraki, JPN)
,
SAWAKI N
(Nagoya Univ., Aichi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38 号： 4A ページ： L356-L359 発行年： 1999年04月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。