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文献
J-GLOBAL ID：200902157292215949
整理番号：96A0603853
スマートカットプロセスを用いた絶縁体上への炭化けい素の形成
Silicon carbide on insulator formation using the Smart Cut process.
DI CIOCCIO L
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
LE TIEC Y
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
LETERTRE F
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
JAUSSAUD C
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
,
BRUEL M
(CEA Grenoble, Grenoble, FRA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 32 号： 12 ページ： 1144-1145 発行年： 1996年06月06日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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