文献
J-GLOBAL ID:200902157423785797
整理番号:93A0692007
カリウムイオン選択電界効果トランジスタ(ISFET)センサ ゲートのサイズとイオン注入レベルの検討
Potassium ion-selective field-effect transistor(ISFET) sensors: studies on gate dimensions and ion-implantation levels.
著者 (3件):
JOHNSON S
(Univ. Wales, Cardiff, GBR)
,
SLATER J M
(Univ. Wales, Cardiff, GBR)
,
THOMAS J D R
(Univ. Wales, Cardiff, GBR)
資料名:
Analytical Letters
(Analytical Letters)
巻:
26
号:
7
ページ:
1397-1412
発行年:
1993年07月
JST資料番号:
B0926A
ISSN:
0003-2719
CODEN:
ANALBP
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)