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文献
J-GLOBAL ID：200902157483220560
整理番号：00A0987894
スピン依存するトンネル効果を用いたダイオードなしのランダムアクセス磁気メモリ
Diode-free magnetic random access memory using spin-dependent tunneling effect.
WANG F Z
(Univ. North London, London, GBR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 77 号： 13 ページ： 2036-2038 発行年： 2000年09月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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