文献
J-GLOBAL ID:200902157647599557
整理番号:01A0271156
ELO-GaN層上に成長させたAlGaInNの高出力レーザ
AlGaInN high-power lasers grown on an ELO-GaN layer.
著者 (9件):
TAKEYA M
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi-ken, JPN)
,
ASANO T
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi-ken, JPN)
,
SHIBUYA K
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi-ken, JPN)
,
YABUKI Y
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi-ken, JPN)
,
ASATSUMA T
(Sony Corp. Core Technol. & Network Co., Yokohama, JPN)
,
OZAWA M
(Sony Corp. Core Technol. & Network Co., Yokohama, JPN)
,
KOBAYASHI T
(Sony Corp. Core Technol. & Network Co., Yokohama, JPN)
,
MORITA E
(Sony Corp., Yokohama, JPN)
,
IKEDA M
(Sony Shiroishi Semiconductor Inc., Miyagi-ken, JPN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
221
ページ:
646-651
発行年:
2000年12月
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)