文献
J-GLOBAL ID:200902158110096024
整理番号:02A0932254
Gd@C82メタロフラーレンピーポッドのアンビポーラ電界効果トランジスタ挙動
Ambipolar field-effect transistor behavior of Gd@C82 metallofullerene peapods.
著者 (9件):
SHIMADA T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
OKAZAKI T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TANIGUCHI R
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SUGAI T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SHINOHARA H
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SUENAGA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
,
OHNO Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIZUNO S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
MIZUTANI T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
81
号:
21
ページ:
4067-4069
発行年:
2002年11月18日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)