文献
J-GLOBAL ID:200902158162761247
整理番号:02A0036178
400GHz遮断周波数領域の超短25nmゲート長の格子整合InAlAs/InGaAs HEMT
Ultra-Short 25-nm-Gate Lattice-Matched InAlAs/InGaAs HEMTs within the Range of 400GHz Cutoff Frequency.
著者 (8件):
YAMASHITA Y
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
ENDOH A
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
SHINOHARA K
(Communications Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
HIGASHIWAKI M
(Communications Res. Lab., Tokyo, JPN)
,
HIKOSAKA K
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
MIMURA T
(Fujitsu Ltd., Kanagawa, JPN)
,
HIYAMIZU S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MATSUI T
(Communications Res. Lab., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
22
号:
8
ページ:
367-369
発行年:
2001年08月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)